Tillverkare Produktnummer:
TSM170N06PQ56 RLG
Product Overview
Tillverkare:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
TSM170N06PQ56 RLG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 44A (Tc) 73.5W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventarier:
13281 Pcs Ny Original I Lager
12897537
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TSM170N06PQ56 RLG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1556 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
73.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PDFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
TSM170
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
TSM170N06PQ56 RLGTR
TSM170N06PQ56RLGTR
TSM170N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM170N06PQ56RLGCT
TSM170N06PQ56 RLGTR-DG
TSM170N06PQ56RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT-DG
TSM170N06PQ56 RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM80N950CI C0G
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
TSM8N70CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
TSM4NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
